上海2021年3月16日 /美通社/ -- （以下簡稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）在SEMICON China 2021期間正式發布了新一代電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設備Primo Twin-Star^®，用于IC器件前道(dao)和后(hou)道(dao)制程導電/電介質膜的刻蝕應用。

基于中微公司業已成熟的單臺反應器的電感耦合等離子體（ICP）刻蝕技術和雙臺反應器的Primo平臺，Primo Twin-Star^®為電介質前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI和BSI刻蝕等提供了高性價比的刻蝕解決方案。它的創新設計包括：Primo Twin-Star^®使(shi)用了雙反應(ying)臺腔體設(she)計和低電容耦合3D線圈設(she)計，創新的反應(ying)腔設(she)計可(ke)最大程度減弱非(fei)中(zhong)心對稱(cheng)抽氣口效應(ying)，通過采用多區溫控靜電吸(xi)盤（ESC）增(zeng)強了對關(guan)鍵尺寸均勻性和重(zhong)復性的控制。

憑借這些優異的性能和其他特性，與其他同類設備相比，Primo Twin-Star^® 以更小的占地面積、更低的生產成本和更高的輸出效率，進行ICP適用的邏輯和存儲芯片的介質和導體的各種刻蝕應用，并用于功率器件和CMOS圖像傳感器（CIS）的刻蝕應用。由于Primo Twin-Star^®反應器在很多方面采取了和單臺機Primo nanova^®相同或相似的設計，在眾多的刻蝕應用中，Primo Twin-Star^®顯示了和單臺反應(ying)器相同(tong)的(de)刻蝕結果。這就(jiu)給客戶提供了高質量、高輸出和低成本的(de)解決(jue)方案。

中微公司的Primo Twin-Star^®刻蝕設備已收到來自國內領先客戶的訂單。目前，首臺Primo Twin-Star^®設備已交付客戶投入生產，良率穩定。公司還在進行用于不同刻蝕應用的多項評估。Primo Twin-Star^®設(she)(she)備(bei)優化了(le)中微公(gong)司電感(gan)耦合等離子體(ti)（ICP）刻(ke)蝕(shi)設(she)(she)備(bei)產品線。

“現在的制造商對于生產成本日益敏感，我們的目標是為客戶提供技術創新、高生產率和高性價比的ICP刻蝕解決方案。”中微公司集團副總裁兼等離子體刻蝕產品事業總部總經理倪圖強博士說道，“Primo Twin-Star^®設備已在各(ge)類前道/后道制程(cheng)(cheng)、用于功率器件和CIS應用的(de)深溝槽隔(ge)離刻(ke)蝕(shi)（DTI）中表現出卓越的(de)性能(neng)。通過(guo)提供(gong)兼具這些優異性能(neng)和高性價比的(de)解決方案(an)，我們不僅幫(bang)助客戶解決了技術難題(ti)，同(tong)時最大(da)程(cheng)(cheng)度地提升了其投資效益。”

Primo Twin-Star^®是(shi)中微(wei)公司的注冊商標。