北京2021年9月23日 /美通社/ -- 德州儀器（TI）（納斯達克代碼TXN）今宣布其氮化鎵（GaN）技術和 C2000? 實時微控制器（MCU），輔以臺達（Delta Electronics）長期耕耘之電力電子核心技術，為數據中心開發設計高效、高功率的企業用服務器電源供應器（PSU）。與使用傳統架構的企業服務器電源供應器相比，臺達研發的服務器電源供應器將功率密度提高了80%，效率提升1%。能源政策機構Energy Innovation^[1]數據顯示，效率每提升1%，相當(dang)于每個數據中心節(jie)省了1兆瓦（或(huo)800戶家(jia)庭用電）的總所(suo)有成本(ben)。

臺(tai)達為(wei)全球(qiu)客戶(hu)提供(gong)電(dian)源管理與散熱解決方案，同時也是AC-DC、DC-DC與DC-AC電(dian)源系統的(de)領導廠商(shang)，產品應用范圍廣泛(fan)，包括IT設備、電(dian)動車(che)充電(dian)與工業電(dian)源等(deng)。TI在GaN技術以及C2000? MCU實(shi)時控制(zhi)解決方案上長達十年的(de)投(tou)資有(you)目共睹，是臺(tai)達長期合(he)作的(de)重要伙伴。此(ci)次TI采用創新的(de)半導體(ti)制(zhi)造工藝來(lai)制(zhi)造硅基氮化鎵和集成電(dian)路，助(zhu)力臺(tai)達等(deng)企(qi)業打造差異(yi)化應用，更高(gao)效地為(wei)世界各(ge)地的(de)數據中心(xin)供(gong)電(dian)。

“在TI，我們致力于通過(guo)半導體技術(shu)(shu)讓(rang)電子產品更經(jing)濟實用，讓(rang)世界更美好，并且我們的(de)GaN技術(shu)(shu)為(wei)更高(gao)效、更小、更可靠的(de)全新(xin)(xin)解決(jue)方(fang)案的(de)誕生帶來更多可能，”TI高(gao)壓電源解決(jue)方(fang)案副(fu)總裁(cai)Steve Lambouses表示，“除(chu)了技術(shu)(shu)投資外(wai)，TI在內部(bu)制(zhi)造方(fang)面的(de)投資能夠快速普及GaN等新(xin)(xin)技術(shu)(shu)，并為(wei)臺達等客戶(hu)提供(gong)支持。” 

“臺(tai)達(da)(da)長期(qi)(qi)(qi)致力于(yu)通(tong)過(guo)高效(xiao)能產品和解決(jue)(jue)方案，與伙伴及客戶密切合作(zuo)，以降低碳足跡(ji)。這(zhe)也促使我們(men)(men)與TI這(zhe)樣(yang)的(de)(de)行(xing)業領軍企(qi)業開(kai)展長期(qi)(qi)(qi)合作(zuo)，持續(xu)進行(xing)新(xin)(xin)一代技(ji)(ji)術(shu)的(de)(de)開(kai)發、應(ying)(ying)用。GaN技(ji)(ji)術(shu)已突(tu)破門坎，從人們(men)(men)口(kou)中(zhong)的(de)(de)未來科技(ji)(ji)落地，成為當今電(dian)(dian)(dian)源系統設計中(zhong)切實(shi)可行(xing)的(de)(de)一個選擇(ze)。”臺(tai)達(da)(da)電(dian)(dian)(dian)源與系統事業群(qun)副總裁暨總經理(li)Jimmy Yiin說，“通(tong)過(guo)引入新(xin)(xin)技(ji)(ji)術(shu)，我們(men)(men)希望為服(fu)務器的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)源供應(ying)(ying)器實(shi)現(xian)超過(guo)98%的(de)(de)效(xiao)率(lv)，功率(lv)密度(du)超過(guo)100瓦/立方英寸。GaN技(ji)(ji)術(shu)將(jiang)變(bian)革現(xian)有(you)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)源設計和架構(gou)，未來幾年電(dian)(dian)(dian)源方案和產品的(de)(de)發展令人期(qi)(qi)(qi)待(dai)，臺(tai)達(da)(da)也將(jiang)善用新(xin)(xin)技(ji)(ji)術(shu)，進一步強化我們(men)(men)作(zuo)為數據中(zhong)心(xin)和其他電(dian)(dian)(dian)源解決(jue)(jue)方案的(de)(de)領先供應(ying)(ying)商地位。”

集成的GaN 芯片提供更高的效率、功率密度和系統可靠性

• 在高電壓、高功率工業應用中，TI的GaN FET集成了快速開關驅動器，以及內部保護和溫度感測功能，能夠更好地在有限的電路板空間內實現高性能。
• 芯片通過4000萬小時以上的設備可靠性測試和超過5 GWh的功率轉換測試，可提供嚴謹可靠的數據，并可透過GaN構建更小、更輕、更高效的電源系統。
• TI 的GaN電源解決方案同C2000?實時MCU相結合，可提供復雜的時延敏感處理、精確控制及軟件與外設的可擴展性等眾多優勢。此外，這些MCU可支持不同的電源拓撲設計和高開關頻率，更大限度提升電源效率，充分發揮基于GaN的服務器供電單元的潛力。

制造和長期投資戰略確保靈活供應

• TI獨特的工藝、封裝和電路設計技術組合簡化了生產，企業能夠通過配置不同的選項來擴大硅基氮化鎵的產量，以應對電信、工業和汽車企業不斷變化的需求。 
• TI自有的GaN外延和組裝/測試能力，使企業能夠按需求靈活解決工具冗余問題。
• 隨著市場需求的增加，體積更小且需要支持更多數據的系統已經成為趨勢，TI的長期投資和靈活的制造戰略，將使其成為領先的GaN和實時MCU供應商。

TI和臺達將于2021年9月27日至29日的TI Live! Tech Exchange共同舉辦主題為《GaN技術的影響及其對未來工業設計的意義》的在線技術交流研討會。屆時，TI專家將通過一系列主題演講、論壇、技術會議和產品演示，討論電源管理、汽車、實時控制、視覺傳感和設計趨勢等內容。欲了解更多信息，請訪問ti.com/techexchange。 

如需了解更多信息，敬請訪問TI.com/gan。

^[1]  Energy Innovation，“數據中心實(shi)際使用了多少能源？”，2020年3月17日。

關于德州儀器(TI)

德州儀器（TI）（納斯達克股票代碼：TXN）是一家全球化的半導體公司，致力于設計、制造、測試和銷售模擬和嵌入式處理芯片，用于工業、汽車、個人電子產品、通信設備和企業系統等市場。我們致力于通過半導體技術讓電子產品更經濟實用，創造一個更美好的世界。如今，每一代創新都建立在上一代創新的基礎之上，使我們的技術變得更小巧、更快速、更可靠、更實惠，從而實現半導體在電子產品領域的廣泛應用，這就是工程的進步。這正是我們數十年來乃至現在一直在做的事。欲了解更多信息，請訪問公司網站//www.ti.com.cn/。

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